高压硅器件台面造型特性的OBIC法检测

摘要：

本文通过采用光感生电流法(OBIC)分析了大功率硅半导体p-n结表面定态光电导下耗尽区的扩展,分析了OBIC曲线所反映的高压硅器件台面造型的耐压特性,以及曲线本身的变化代表的与器件表面钝化保护效果相关的信息.

关键词： 硅器件 表面耗尽区 光感生电流法 耐压性能 表面保护

作者: 董小兵 张少云 徐传骧

作者单位: 西安交通大学电气绝缘研究中心

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国工程电介质学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 147-150

在线出版日期: 2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）