使用纳米硅薄膜技术改进现有硅器件的性能

摘要：

使用PECVD薄膜沉积技术制成的具有新结构特征的纳米硅薄膜(nc-Si:H)拥有一系列物性.以纳米硅膜为母体研制成异质结二极管,发现它具有一系列优于单晶硅二极管的独特性能.探讨了使用纳米硅薄膜制造的其它硅器件的可能性,如肖特基器件、TFT晶体管等.

关键词： 纳米硅薄膜 二极管 硅器件

作者: 何宇亮 施毅

作者单位: 南京大学物理系(南京);江苏省纳米材料与器件技术中心(无锡) 南京大学物理系(南京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第二届全国纳米技术与应用学术会议

会议地点: 宁波

会议语种:中文

页码: 192-197

在线出版日期: 2003-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）