用多孔硅作牺牲层制备硅基电容式微传声器

摘要：

提出了一种新的硅基电容式微传声器的制备方法,即采用多孔硅牺牲层技术制备声学孔,采用聚酰亚胺膜作声学振膜.采用该方法制备出的电容式微传声器器件,开路灵敏度为-107.8dB,在400~10kHz之间,频率响应较为平坦,可以实现语音通信.

关键词： 硅基电容式微传声器 多孔硅 牺牲层 聚酰亚胺 声学振膜

作者: 宁瑾 刘焕章 葛永才 刘忠立

作者单位: 中国科学院半导体研究所微电子中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第二届全国纳米技术与应用学术会议

会议地点: 宁波

会议语种:中文

页码: 187-190

在线出版日期: 2003-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）