高调节范围RF MEMS压控电容的设计与模拟
对传统平行极板MEMS压控电容的局限性进行了理论分析,提出了一种新型的高调节范围MEMS压控电容.它的特点在于使用了三对极板,其中的一对是电容极板,另外两对是控制极板.电容极板用于传输交流信号,而直流控制电压施加在控制极板上.使用有限元分析软件Ansys对其进行了建模与仿真,得出其调节范围高达214％,大大超出了传统的平板电容在调节范围上的自然限制(50％).设计了该电容的工艺流程.其工艺术流程比较简单,很容易集成在标准的CMOS集成电路中.
压控电容 崩塌效应 聚酰亚胺 数字集成电路
梁雪冬 刘泽文 刘理天 李志坚
清华大学微电子学研究所(北京)
国内会议
宁波
中文
179-182
2003-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）