高性能42nm栅长CMOS器件
研究了20~50nm CMOS器件结构及其关键工艺技术,采用这些创新性的工艺技术研制成功了高性能42nm栅长CMOS器件和48nm栅长的CMOS环形振荡器.在电源电压V<,DD>为±1.5V下,NMOS和PMOS的饱和驱动电流I<,on>分别为745μA/μm和-530μA/μm,相应的关态漏电流I<,off>分别为3.5nA/μm和-15nA/μm.NMOS的亚阈值斜率和DIBL分别为72mV/Dec和34mV/V,PMOS的亚阈值斜率和DIBL分别为82mV/Dec和57mV/V.栅长为48nm的CMOS 57级环形振荡器,在1.5V电源电压下每级延迟为19.9ps.
CMOS器件 超陡倒掺杂 灰化工艺 数字集成电路 结构设计 刻蚀技术
徐秋霞 钱鹤 韩郑生 刘明 侯瑞兵 陈宝钦 蒋浩杰 赵玉印 吴德馨
中国科学院微电子中心(北京)
国内会议
宁波
中文
153-159
2003-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）