亚50nm双栅MOS场效应晶体管的流体动力学模拟

摘要：

利用自主开发的流体动力学模拟软件对亚50nm沟长双栅MOS场效应晶体管的特性进行了模拟,比较了不同沟道长度时电子温度和漂移速度沿沟道方向的分布,并讨论了器件的短沟效应.

关键词： 流体动力学 阈值电压 短沟效应 电子温度 漂移速度 场效应晶体管

作者: 刘弋波 刘恩峰 刘晓彦 韩汝琦

作者单位: 北京大学微电子学研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第二届全国纳米技术与应用学术会议

会议地点: 宁波

会议语种:中文

页码: 144-146

在线出版日期: 2003-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）