亚100nm多栅MOSFET的三维模拟

摘要：

使用三维模拟软件对具有FINFET的多栅结构(主要是双栅和三栅)进行了模拟.对比了双栅和三栅的I-V特性.发现三栅的特性要优于双栅;减小FIN宽度(即两个侧栅之间的距离),双栅和三栅结构特性之间的差距变小.

关键词： 阈值电压 三维模拟 短沟效应 场效应晶体管

作者: 夏志良 刘晓彦 刘恩峰 韩汝琦

作者单位: 北京大学微电子所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第二届全国纳米技术与应用学术会议

会议地点: 宁波

会议语种:中文

页码: 140-143

在线出版日期: 2003-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）