基于SiGe/Si的空穴型共振隧穿二极管

摘要：

用GS400高真空外延设备制备了空穴型双势垒单势阱共振隧道二极管.常温(293K)直流测试数据为PVCR(峰谷电流比)=1.13,J<,p>(峰值电流)=1.589kA/cm<”2>,对应的低温(77K)脉冲测试数据为PVCR=1.24,J<,p>=1.086kA/cm<”2>.两种情况下,较低的PVCR可归结为Ge<,x>Si<,1-x>/Si异质结构本身的能级特性和热效应.

关键词： 势垒 量子阱 峰谷电流比 共振隧穿二极管 硅 硅化镓

作者: 熊晨荣 王民生 黄文韬 陈培毅 王燕 罗广礼

作者单位: 清华大学微电子学研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第二届全国纳米技术与应用学术会议

会议地点: 宁波

会议语种:中文

页码: 128-131

在线出版日期: 2003-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）