纳米级电子束直写曝光的基础工艺

摘要：

电子束光刻技术具有极高的分辨率,其直写式曝光系统甚至可达到几纳米的加工能力.本文重点对不同的抗蚀剂、电子束/光学系统的混合光刻及邻近效应修正等技术进行了研究.

关键词： 电子束光刻 混合光刻 邻近效应 曝光系统 抗蚀剂 纳米技术

作者: 刘明 陈宝钦 王云翔 龙世兵 陆晶 李泠

作者单位: 中国科学院微电子中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第二届全国纳米技术与应用学术会议

会议地点: 宁波

会议语种:中文

页码: 226-228

在线出版日期: 2003-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）