电子束直写邻近效应校正技术

摘要：

通过蒙特卡罗模拟方法研究电子散射过程,探讨邻近效应产生机理并寻求有效的邻近效应校正途径.实验结果表明:邻近效应现象是一种综合效应,可以通过优化工艺条件有效地抑制邻近效应的影响,使邻近效应校正达到预期的效果.

关键词： 纳米结构图形 电子束直写 蒙特卡罗模拟 邻近效应 校正技术 电子束曝光技术

作者: 陈宝钦 任黎明 刘明 王云翔 龙世兵 陆晶 李泠

作者单位: 中国科学院微电子中心(北京) 北京大学微电子学系(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第二届全国纳米技术与应用学术会议

会议地点: 宁波

会议语种:中文

页码: 221-225

在线出版日期: 2003-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）