采用磁控溅射工艺试制低TCR的Cr—Si<,2>薄膜电阻

摘要：

本文以Cr-Si<,2>为靶材,采用高频磁控溅射工艺,试制出一种方阻为2kΩ/□的电阻薄膜,其TCR可优于±20ppm/℃,已应用在产品中,取得了较好的效果.

关键词： 磁控溅射 薄膜电阻 TCR 混合集成电路

作者: 姜贵云

作者单位: 北京飞宇微电子有限责任公司

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国混合集成电路学术会议论文专辑

会议地点: 合肥

会议语种:中文

页码: 47-49

在线出版日期: 2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）