在Si片上蒸发Cr/SiO电阻膜工艺技术研究

摘要：

混合集成电路薄膜要求基片表面平整,绝缘性能好,结固,散热性能好,散热不良会导致元件失效.本文报道了在硅片上蒸发Cr/SiO电阻膜技术的研究工作.

关键词： 混合集成电路 薄膜 电阻膜工艺 硅片

作者: 赵有洲 段春丽 李新玉 丁长江 吴静 王刘坤

作者单位: 西安微电子技术研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国混合集成电路学术会议论文专辑

会议地点: 合肥

会议语种:中文

页码: 44-46

在线出版日期: 2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）