面向半导体照明的氮化镓发光二极管制备的产业化技术的研究

摘要：

综述了清华大学电子系集成光电子学国家重点实验室在面向半导体照明的氮化镓发光二极管产业化技术研究方面的近期进展.我们在LED芯片的电致发光光谱特性、AlGaN/GaN材料的刻蚀平整度和选择性刻蚀技术上获得了国际文献报道的最好水平.目前,本实验室研制的LED芯片的主要技术指标已经达到了半导体照明的初期要求.

关键词： 氮化镓 发光二极管 材料外延 干法刻蚀 半导体 照明光源

作者: 罗毅 胡卉 韩彦军 郭文平 邵嘉平 薛松 孙长征 郝智彪

作者单位: 清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 海峡两岸第十届照明科技与营销研讨会

会议地点: 珠海

会议语种:中文

页码: 64-69

在线出版日期: 2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）