经过离子刻蚀的GaN薄膜的拉曼光谱

摘要：

本文报道了离子刻蚀前后氮化镓(GaN)薄膜的拉曼光谱,通过分析拉曼光谱中的E<,2>模和纵光学声子(LO)与等离子激元形成的耦合模(LPP)的高频支在离子刻蚀前后的变化,发现离子刻蚀后GaN外延层的压缩形变应力得到释放,而且材料的载流子浓度也降低了.另外,对经过离子刻蚀的样品进行三种温度退火处理,再测其拉曼光谱,发现低温退火对恢复由离子刻蚀造成的GaN晶格损伤的作用不明显.

关键词： 离子刻蚀 拉曼光谱 应力 氮化镓

作者: 连传昕 李向阳 刘骥

作者单位: 山东大学信息科学与工程学院(济南);中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室(上海) 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室(上海) 山东大学信息科学与工程学院(济南)

会议类型: 国内会议

会议名称: 2003年全国光电技术学术交流会暨第十六届全国红外科学技术交流会

会议地点: 武汉

会议语种:中文

页码: 734-736

在线出版日期: 2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）