V<,2>O<,5>薄膜的结构和光电性能研究

摘要：

在O<,2>/Ar气氛中,用脉冲磁控溅射金属V靶沉积出非晶的V<,2>O<,5>薄膜.对所沉积的薄膜进行450℃退火.利用X射线衍射,原子力显微镜,分光光度计和电阻测量手段对薄膜的结构和性能进行了分析,从200nm~2500nm波段光谱的透射和反射测量结果,计算出薄膜的吸收系数.结果表明,V<,2>O<,5>薄膜纯度高,结晶好,高低温电阻变化2个量级.光学能隙为2.46eV,吸收系数在高能区与光子能量成线性关系,并存在低能吸收尾.

关键词： V<,2>O<,5>薄膜 形貌 电性能 吸收因数 脉冲磁控溅射

作者: 许旻

作者单位: 兰州物理研究所(兰州)

会议类型: 国内会议

会议名称: 2003年全国光电技术学术交流会暨第十六届全国红外科学技术交流会

会议地点: 武汉

会议语种:中文

页码: 65-68

在线出版日期: 2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）