光电元件飞秒激光损伤的实验研究

摘要：

对不同能量密度飞秒激光辐照下光电元件的信号饱和时间进行了实验测量,并对光电元件的损伤进行了观测.实验表明,飞秒激光对硅器件的失效阈值在10TW/cm<”2>量级,红外InGaAs的失效阈值约10GW/cm<”2>,商用CCD线阵的失效阈值仅57MW/cm<”2>.硅器件的饱和时间最大约0.4ms,飞秒激光对光电元件的作用主要是损伤失效.

关键词： 飞秒激光 光电器件 饱和时间 失效阈值 光电探测器

作者: 罗福 辛建婷 唐小松

作者单位: 中国工程物理研究院流体物理研究所(绵阳)

会议类型: 国内会议

会议名称: 2003年全国光电技术学术交流会暨第十六届全国红外科学技术交流会

会议地点: 武汉

会议语种:中文

页码: 459-461

在线出版日期: 2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）