碲镉汞材料p-n结结深的测量方法

摘要：

在碲镉汞红外探测器的制备过程中,常常需要准确获得其p-n结的结深.由于碲镉汞材料的特殊性质,很多用于其他半导体材料的常规方法都不能很好地应用于碲镉汞p-n结结深的测量.这是因为碲镉汞材料非常脆弱,特别是p型材料,任何地机械加工都会使它反型,因此常规方法所需的碲镉汞样品很难制备出来.本文提供一种新的测量碲镉汞材料p-n结结深的方法,该法避开了对p型碲镉汞材料的机械损伤,使用他的腐蚀液逐步地把结剥离出来,利用台阶仪把结与原始表面的台阶测量出来,由此得出结深.

关键词： 碲镉汞 温差电动势 p-n结结深

作者: 张海燕 胡晓宁 叶振华 廖清君

作者单位: 中国科学院上海技术物理所(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 2003年全国光电技术学术交流会暨第十六届全国红外科学技术交流会

会议地点: 武汉

会议语种:中文

页码: 202-204

在线出版日期: 2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）