真空热退火对GaN金属—半导体—金属肖特基紫外探测器伏安特性的影响

摘要：

利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的非故意掺杂GaN单晶制备了金属-半导体-金属(MSM)交叉指型肖特基紫外探测器.研究了真空热退火对器件伏安特性的影响.结果分析表明Au填充N定位形成了施主型杂质是退火后势垒升高主要原因.

关键词： GaN MSM 伏安特性 退火 肖特基势垒 紫外探测器

作者: 亢勇 李雪 肖继荣 靳秀芳 李向阳 龚海梅 方家熊

作者单位: 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 2003年全国光电技术学术交流会暨第十六届全国红外科学技术交流会

会议地点: 武汉

会议语种:中文

页码: 180-183

在线出版日期: 2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）