GaN紫外探测器的Ti/Al接触界面的电学特性研究

摘要：

本文利用伏安特性和传输线模型研究了不同退火条件下GaN紫外探测器的Ti/GaN接触的电学特性,利用热电子发射理论研究了反偏Ti/GaN界面的肖特基势垒,结果表明肖特基势垒高度和比接触电阻随退火温度的升高而下降,600℃退火形成的欧姆接触是变低的势垒高度和隧穿电流机制共同作用的结果.

关键词： 传输线模型 肖特基势垒高度 比接触电阻 隧穿电流 GaN紫外探测器

作者: 李雪 亢勇 陈江峰 靳秀芳 朱龙源 李向阳 龚海梅 方家熊

作者单位: 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 2003年全国光电技术学术交流会暨第十六届全国红外科学技术交流会

会议地点: 武汉

会议语种:中文

页码: 176-179

在线出版日期: 2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）