Si基绝热结构BST铁电薄膜红外探测器阵列的研制

摘要：

本文介绍了一种采用Si基绝热结构和”填充-掏空”技术来制备非致冷红外探测器阵列的新方法.以此为目标,重点研究了ZnO纳米粉末的制备工艺以及如何在Si基片表面形成ZnO膜层网格状结构的方法.对所研制的BST铁电薄膜敏感元材料进行了阵列图形刻蚀,结果表明,在40℃时刻蚀液对BST铁电薄膜的刻蚀速度约为3μm/min,刻蚀的薄膜图形边缘轮廓清晰,刻蚀后薄膜也无晶格畸变和铁电性能改变,并由此研制出BST铁电薄膜8×8元红外探测器阵列.

关键词： 非致冷红外探测器阵列 绝热结构 Sol-Gel 铁电薄膜 BST 红外成像

作者: 曾亦可 刘梅冬 姜胜林 黄焱球 刘少波 周东祥

作者单位: 华中科技大学电子科学与技术系(武汉)

会议类型: 国内会议

会议名称: 2003年全国光电技术学术交流会暨第十六届全国红外科学技术交流会

会议地点: 武汉

会议语种:中文

页码: 130-133

在线出版日期: 2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）