X光三轴衍射分析技术在碲镉汞外延材料中的应用

摘要：

衬底和外延层之间的晶格失配在碲镉汞材料的外延过程中会引起缺陷的增殖,导致外延材料位错密度的增加,严重的会引入”mosaic”结构,常规检测很难观察到晶体中的”mosaic”结构,本文运用X光三轴衍射技术观察到HgCdTe/ZnCdTe液相外延材料和HgCdTe/CdTe/GaAs分子束外延材料存在的”mosaic”结构,并观察到了碲镉汞外延材料和分子束外延材料”mosaic”结构的差异,同时我们也发现晶格失配并不一定就导致碲镉汞外延材料出现”mosaic”结构.

关键词： HgCdTe外延材料 高分辨X衍射 倒易晶格点二维图 红外敏感材料

作者: 王庆学 魏彦峰 方维政 杨建荣 何力

作者单位: 中国科学院上海技术物理所材料器件中心(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 2003年全国光电技术学术交流会暨第十六届全国红外科学技术交流会

会议地点: 武汉

会议语种:中文

页码: 121-124

在线出版日期: 2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）