Al<,x>Ga<,1-x>As选择性湿法氧化技术的研究

摘要：

详细研究了温度和Al组分与Al<,x>Ga<,1-x>As横向氧化速率的关系,通过分析氧化机制和实验得到的氧化宽度与时间的线性关系,指出在较短时间内的氧化为受Al<,x>Ga<,1-x>As材料与水汽反应速率限制的过程.运用优化的氧化条件,成功制备了氧化孔径为8μm的垂直腔面发射激光器,最大直径光输出功率为3.2mW,激射波长为978nm.

关键词： VCSEL Al<,x>Ga<,1-x>As 氧化 垂直腔面发射激光器

作者: 黄静 郭霞 渠红伟 廉鹏 董立闽 朱文军 杜金玉 邹德恕 沈光地

作者单位: 北京工业大学电子信息和工程学院北京市光电子实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 2003年全国光电技术学术交流会暨第十六届全国红外科学技术交流会

会议地点: 武汉

会议语种:中文

页码: 105-108

在线出版日期: 2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）