会议专题

电功率脉冲对HgCdTe光导探测器的性能影响

本文介绍了在室温和低温下HgCdTe红外光导探测器在不同的脉冲电流下(脉冲电功率)探测器性能的影响.分析了探测器脉冲电流下温度的变化.得到在室温下200mW脉冲电功率下探测器响应开始衰减,在400mW脉冲电功率下电阻开始变化,在200mW脉冲电功率下探测器电阻烧毁.在低温下在90mW脉冲电功率下探测器响应开始衰减,在290mW脉冲电功率下电阻开始变化,在550mW脉冲电功率下探测器电阻烧毁.

脉冲电功率 探测器 电阻 红外光导探测器

徐国森 王继元

上海技术物理所传感技术国家重点实验室(上海)

国内会议

2003年全国光电技术学术交流会暨第十六届全国红外科学技术交流会

武汉

中文

31-35

2003-10-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)