HgCdTe薄膜的MOVPE掺杂生长

摘要：

碲镉汞(MCT)薄膜是Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体是目前制作高性能IRFPRs的最好材料.本文重点研究碲镉汞薄膜的金属有机气相外延掺杂生长的工艺条件.

关键词： 碲镉汞薄膜 MOVPE 掺杂生长 MO源

作者: 宋炳文 杨玉林 李艳辉 李全保 姬荣斌

作者单位: 昆明物理研究所(云南昆明)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议

会议地点: 牡丹江

会议语种:中文

页码: 99-99

在线出版日期: 2003-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）