Zn<,1-x>Cd<,x>S合金薄膜的结构和光学性质研究

摘要：

本文采用低压MOCVD技术,以H<,2>S,二甲基镉(DMCd)和二甲基锌(DMZn)为反应源,通过氢气携运,制备了Cd组份分别为0,0.02,0.44,0.59,0.83,0.91以及1的ZnCdS合金薄膜.并对不同Cd含量对Zn<,1-x>Cd<,x>S样品的结构和发光性质进行了研究.

关键词： LP-MOCVD ZnCdS X射线衍射谱 光致发光 化合物半导体 Zn<,1-x>Cd<,x>S合金薄膜 MOCVD

作者: 冯秋菊 申德振 张吉英 单崇新 张振中 吕有明 刘益春 范希武

作者单位: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室(长春市)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议

会议地点: 牡丹江

会议语种:中文

页码: 98-98

在线出版日期: 2003-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）