InGaAlN四元合金的光学性质和微观结构

摘要：

本文系统地研究了InGaAlN在不同温度下的生长规律.用光致光谱(PL)和时间分辨光谱(TRPL)分析了InGaAlN的光学性质.我们发现:在高温GaN过渡层上生长的InGaAlN,呈现零维发光性质;而在低温GaN缓冲层上直接生长的InGaAlN,呈现二维发光性质.这些结果说明,由于合金涨落原因,在InGaAlN中存在类似量子点或量子盘的In聚集.

关键词： InGaAlN四元合金 光学性质 微观结构 光致发光谱 时间分辨光谱

作者: 刘祥林 董逊 黎大兵

作者单位: 中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议

会议地点: 牡丹江

会议语种:中文

页码: 92-94

在线出版日期: 2003-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）