高质量InGaN LED器件的物理特性

摘要：

GaN基蓝绿光发光二极管已经进入了大规模商用化阶段.然而,GaN基发光二级管的发光波长随注入电流而变化仍然是外延片生长遇到的关键技术难题之一.本文通过改进量子阱结构,优化生长条件,生长出的外延片在电流变化120毫安时,其发光波长变化小于0.5纳米.

关键词： INGaN 发光二极管(LED) 波长稳定性 半高全宽 GaN材料 发光二极管 外延生长 物理特性 量子阱结构

作者: 郭文平 胡卉 邵嘉平 韩彦军 薛松 汪莱 孙长征 郝智彪 罗毅

作者单位: 清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议

会议地点: 牡丹江

会议语种:中文

页码: 91-91

在线出版日期: 2003-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）