p-GaN的欧姆接触及其评价方法

摘要：

本研究通过采用HF溶液处理p型GaN表面.接着运用X射线光电子能谱(XPS)和俄歇电子能谱(AES)等表面分析手段对处理前后的p-GaN样品表面的化学组分进行了分析.

关键词： P-GaN 欧姆接触特性 评价标准 X射线光电子能谱 化学组分

作者: 薛松 韩彦军 郭文平 孙长征 郝智彪 罗毅

作者单位: 清华大学电子工程系集成光电子国家重点实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议

会议地点: 牡丹江

会议语种:中文

页码: 89-89

在线出版日期: 2003-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）