Cl<,2>/Ar和Cl<,2>N<,2>ICP刻蚀对 n-GaN特性的影响

摘要：

在器件的制作过程中,n-GaN的表面状态对n型欧姆接触起决定作用,同进也严重影响着器件的光电性能.而ICP刻蚀过程对n-GaN的表面状态有着重要的影响,必须根据n-GaN的光学和电学特性的变化对ICP刻蚀技术加以优化.

关键词： 氮化物半导体材料 发光二极管 激光二极管 光电子器件 干法刻蚀 ICP

作者: 韩彦军 薛松 郭文平 孙长征 郝智彪 罗毅

作者单位: 清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议

会议地点: 牡丹江

会议语种:中文

页码: 87-88

在线出版日期: 2003-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）