GaN基高亮度绿色LED材料蓝带发光特性研究

摘要：

本实验采用低压金属有机化学气相设备(LP-MOCVD)生长中心波长在505nm~535nm的绿色LED外延样品,通过变温(9K~325K)光致荧光谱对不同外延生长条件和后步工艺处理条件下LED样品的p型层蓝发光特性进行研究.

关键词： GaN LED 蓝带 发光二极管 多量子阱结构 发光特性

作者: 邵嘉平 郭文平 胡卉 孙长征 郝智彪 罗毅

作者单位: 清华大学电子工程系,集成光电子国家重点实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议

会议地点: 牡丹江

会议语种:中文

页码: 86-86

在线出版日期: 2003-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）