GaN基HEMT后部制作工艺的优化

摘要：

本研究首先对比了Al<,x>Ga<,1-x>N与NiAl电极形成欧姆接触的工艺.其次试验在Al<,x>Ga<,1-x>N表面生长了8nm重掺GaN(1×10<”19>/cm<”3>)帽层,使源漏电极可以制作在禁带宽度较小的GaN上,期待进一步降低接触电阻.

关键词： GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT) 制作工艺 宽禁带半导体材料

作者: 唐广 郝智彪 孙长征 罗毅

作者单位: 清华大学电子工程系,集成光电子国家重点实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议

会议地点: 牡丹江

会议语种:中文

页码: 85-85

在线出版日期: 2003-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）