GaN材料MOCVD生长条件的模拟研究

摘要：

本工作在3维空间中模拟了行星式水平MOCVD反应室生长GaN基材料的流场,热场,反应物与生成物的分布以及材料生长速率等重要物理参数.通过计算结果与同样条件下的实验结果比较,发现两者吻合程序非常高,表明化学反应机理和计算方法是基本可靠的,能够以此来模拟和指导GaN基材料具体的MOCVD生长工艺.

关键词： 计算流体力学(CFD) GaN材料 MOCVD 生长工艺

作者: 郭文平 胡卉 邵嘉平 孙长征 郝智彪 罗毅

作者单位: 清华大学电子工程系,集成光电子学国家重点实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议

会议地点: 牡丹江

会议语种:中文

页码: 84-84

在线出版日期: 2003-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）