GaN缓冲层的生长特性及其对外延层质量的影响

摘要：

本文通过自制的在位监控系统对MOCVD方法生长GaN缓冲层的特性及其对外延层质量的影响进行了深入的研究.实验结果表明,GaN低温缓冲层的生长速率受氨气的流量,生长温度和反应室压力控制,其生长速率随氨气流量的增加而增加,随温度的升高几乎成线性增加,随着反应室压力的增加,生长速率增加.

关键词： GaN缓冲层 MOCVD 外延层质量 生长速率

作者: 张书明 陈俊 朱建军 史永生 段俐宏 杨辉

作者单位: 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室半导体所实验区(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议

会议地点: 牡丹江

会议语种:中文

页码: 81-81

在线出版日期: 2003-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）