适合GaN氮化镓基材料生长的MOCVD设备

摘要：

为了打破国外在MOCVD设备长期处于垄断,摆脱我国长期依赖进口的被动局面,我们在国家高技术发展计划(”863”计划)的支持下,研制一台适合GaN基材料生长的MOCVD设备(3片1.5英寸衬底),以期建立MOCVD研发及产业化基地,使我国在此领域占有一席之地.本文介绍了该设备的基本设计思想.

关键词： 氮化镓基材料 外延生长 化学气相淀积 金属有机物 MOCVD设备

作者: 焦春美 刘祥林

作者单位: 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议

会议地点: 牡丹江

会议语种:中文

页码: 8-10

在线出版日期: 2003-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）