InGaN/GaN MQW紫光LED的光学和电学性质

摘要：

利用LP-MOCVD系统在蓝宝石(α-Al<,2>O<,3>)衬底的(0001)面上外延生长InGaN/GaN MQWLED结构.分别以蓝氨和高纯三甲基铟(TMIn)、三甲基镓(TMGa)为N、In、Ga源SiH<,4>和Cp<,2>Mg分别作为n、p型掺杂剂.

关键词： 多量子阱光发射二极管 LP-MOCVD系统 蓝宝石衬底 光学性质 电学性质

作者: 李忠辉 杨志坚 于彤军 秦志新 童玉珍 胡晓东 章蓓 张国义

作者单位: 北京大学物理学院介观物理国家重点实验室,北京大学宽禁带半导体研究中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议

会议地点: 牡丹江

会议语种:中文

页码: 80-80

在线出版日期: 2003-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）