MOCVD生长InGaN/GaN多量子阱LED的稳定性及其与结构特性的关系

摘要：

本文详细介绍了MOCVD生长的InGaN/GaN多量子阱(MQW)光发射二级管(LED)的发射波长,电流/电压,发光强度,反向漏电等性能的稳定性问题的实验研究.结果表明,这些参数在室温长时间使用下,都会发生不同程度的变化.

关键词： 多量子阱光发射二极管 MOCVD InGaN/GaN 发射波长 发光强度

作者: 张国义 杨志坚 童玉珍 胡晓东 秦志新 陈志忠 于彤军 丁晓民 吴明枋 姚淑德 周生强

作者单位: 北京大学物理学院;北京大学宽禁带半导体研究中心;人工微结构和介观物理国家重点实验室(中国北京) 北京大学物理学院技术物理系(中国北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议

会议地点: 牡丹江

会议语种:中文

页码: 78-79

在线出版日期: 2003-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）