在Si和Al<,2>O<,3>基片上生长的ZnO薄膜的特性比较

摘要：

用Zn(C<,2>H<,5>)和CO<,2>为源,在MOCVD系统中外延ZnO薄膜,基片分别采用Al<,2>O<,3>(样品1)和Si(样品2).对生长后的样品在空气中900℃退火1小时,分别测量了这两种样品退火前后的X射线衍射谱以及PL荧光光谱,PL光谱的及发光源为He-Cd激光器的325nm谱线.

关键词： ZnO薄膜 MOCVD Si衬底 PL光谱

作者: 林碧霞 朱俊杰 傅竹西

作者单位: 中国科学院中科大结构分析开放实验室;中国科学技术大学物理系(合肥)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议

会议地点: 牡丹江

会议语种:中文

页码: 75-75

在线出版日期: 2003-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）