O<,2>气流量对LP-MOCVD法生长的ZnO薄膜性质的影响

摘要：

本文以二乙基锌和氧气分别作为锌源和氧源,采用低压MOCVD生长系统,通过改变气流输运方式,并辅以衬底托盘高速旋转以减小预反应的办法,在c-Al<,2>O<,3>衬底上沉积了ZnO薄膜,并研究了Ⅵ族源O<,2>气流量的变化对薄膜结构、表面形貌及光致发光特性的影响.

关键词： ZnO薄膜 LP-MOCVD PL谱 金属有机化学气相淀积 表面形貌 光致发光谱

作者: 马艳 杜国同 杨树人 李正庭 李万成 杨天鹏 杨洪军 张源涛 杨小天 赵佰军 刘博阳 刘大力 姜秀英

作者单位: 吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点实验室吉林大学实验区(吉林长春)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议

会议地点: 牡丹江

会议语种:中文

页码: 74-74

在线出版日期: 2003-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）