C-Al<,2>O<,3>衬底上ZnO薄膜的MOCVD法生长

摘要：

本论文利用MOCVD法在C-AL<,2>O<,3>衬底上生长出具有高阻值、透明的ZnO薄膜.对于薄膜质量,我们利用SIEMENS D08 X射线衍射仪、325nmHe-Cd激光器、原子力显微镜等测试手段对ZnO薄膜质量进行了X射线衍射(XRD)、室温光荧光谱(PL)和薄膜表面分析.

关键词： C-Al<,2>O<,3> MOCVD ZnO薄膜 宽禁带半导体材料 X射线衍射仪

作者: 杨小天 杜国同 刘博阳 马艳 赵佰军 张源涛 李万程 刘大力 李正庭 杨树人

作者单位: 吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区(吉林长春)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议

会议地点: 牡丹江

会议语种:中文

页码: 72-72

在线出版日期: 2003-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）