MOCVD法ZnO单晶薄膜生长

摘要：

本文采用COCVD法生长出高质量的ZnO单晶薄膜.设备为具有自己知识产权的等离子增强COCVD系统.实验中分别利用硅、R-蓝宝石、C-蓝宝石等作衬底,以二乙基锌(DEZn)、氧气为源,利用氩气作锌源载体,高纯N<,2>作为辅气流,经高密度均匀网由反应室顶端均匀下压,有效抑制由于热效应形成的气流上返效应对生长质量的影响,进行ZnO单晶薄膜生长.

关键词： MOCVD ZnO薄膜 外延生长 等离子体增强

作者: 刘博阳 杜国同 杨小天 仇登利 侯长民 李正庭 刘大力 杨树人

作者单位: 吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区(吉林长春)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议

会议地点: 牡丹江

会议语种:中文

页码: 71-71

在线出版日期: 2003-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）