采用MOCVD方法在(001)Si衬底上生长ZnO薄膜

摘要：

本文采用MOCVD方法在(001)Si衬底上生长ZnO薄膜,并在空气中800℃退火1小时.生长及退火样品的XRD图谱均显示了较强的(002)ZnO衍射峰,表明ZnO薄膜为c轴高取向生长.通过拉曼光谱的结果分析,显示退火后ZnO薄膜的E<,2>散射峰强度增加且半宽减小.

关键词： ZnO薄膜 Si衬底 MOCVD 退火 宽禁带半导体材料

作者: 张源涛 刘大力 马艳 杨小天 赵佰军 张景林 常遇春 李万程 杨天鹏 刘博阳 杨洪军 杨树人 杜国同

作者单位: 吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子国家重点实验室(长春)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议

会议地点: 牡丹江

会议语种:中文

页码: 70-70

在线出版日期: 2003-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）