ZnO薄膜的新型MOCVD生长及特性研究<”1>

摘要：

ZnO材料作为一种直接带隙的宽禁带半导体材料,一直受到研究人员的关注.MOCVD是最适合工业化生产的一种方法,本文采用新型等离子体增强MOCVD系统在蓝宝石衬底上生长出高质量的ZnO薄膜,并分析了其特性.

关键词： 氧化锌薄膜 MOCVD 等离子体增强 蓝宝石衬底

作者: 刘大力 杜国同 王金忠 张源涛 张景林 马艳 杨晓天 赵佰军 杨天鹏 刘博阳 杨洪军 杨树人

作者单位: 吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点实验室吉林大学实验区(长春)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议

会议地点: 牡丹江

会议语种:中文

页码: 68-69

在线出版日期: 2003-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）