ZnO/SiC异质结的外延生长

摘要：

本文利用MOCVD高温反应室系统,在Si衬底上先外延6H-SiC薄膜,然后在低温反应室以6H-SiC/Si为衬底,外延高质量的ZnO薄膜,并对薄膜的性质作相应的研究.

关键词： 氧化锌薄膜 宽禁带半导体材料 MOCVD 外延生长 异质结

作者: 朱俊杰 林碧霞 傅竹西

作者单位: 中国科学技术大学物理系(合肥) 中国科学技术大学结构分析开放实验室;中国科学技术大学物理系(合肥)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议

会议地点: 牡丹江

会议语种:中文

页码: 66-67

在线出版日期: 2003-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）