与Ge衬底完全晶格匹配的GaInP2/Ga(In)As/Ge多结太阳电池

摘要：

本文在GaInP2/GaAs双结电池研究的基础上,开展了Ge衬底上多结太阳电池的研究.实验在E400型MOCVD系统上进行,以n型Ge衬底上的P<”+>/n双结电池做为工作的起点.

关键词： 多结太阳电池 Ge衬底 MOCVD 器件工艺

作者: 陈文浚 肖志斌 乔在祥 孙强 许军 章健 刘海港 马荣凯

作者单位: 中国电子科技集团公司十八所

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议

会议地点: 牡丹江

会议语种:中文

页码: 60-60

在线出版日期: 2003-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）