应用MOCVD方法以GaAlAs材料制备的一维光子晶体来获得窄光谱

摘要：

对光在有缺陷的一维光子晶体中的传播进行了研究.并制备了以GaAlAs/AlAs为结构单元的一维光子晶体.由于一维光子晶体的周期性被打破,使得光子晶体的能态密度(DOM)发生改变,导致光的传播发生变化.并用流行的计算方法以及传播矩阵计算模拟了能态密度和光的传播模式.之后用MOCVD方法实现了一维光子晶体结构,这种结构的发光的FWHM为4.1nm,是普通pin结构宽度的1/3——光的能带被剪裁了.

关键词： 一维光子晶体 能态密度 MOCVD 传播矩阵计算 光传播

作者: 王浩 廖长俊 范广涵

作者单位: 华南师范大学信息光电子学院(广州)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议

会议地点: 牡丹江

会议语种:中文

页码: 56-56

在线出版日期: 2003-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）