高势垒掩埋的垂直堆垛InAs量子点的独特性质

摘要：

在本文中作者报道的InAs量子点是通过Stranski-Krastanov(S-K)生长方式生长的.生长后用原子力显微镜(AFM)进行表面形貌的表征,利用深能级瞬态光谱(DLTS)和光制发光(PL)对InAs量子点进行了表征.

关键词： 半导体量子点结构 异质结构效应晶体管 InAs量子点 表面形貌表征 光致发光谱

作者: 李树玮 小池一步 矢野满明

作者单位: 中山大学光电材料与技术国家重点实验室(广州市) 大阪工业大学新材料研究中心,大阪旭区大宫(日本)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议

会议地点: 牡丹江

会议语种:中文

页码: 55-55

在线出版日期: 2003-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）