应用近场光学技术研究在GaInP外延层上的InP自组装结构

摘要：

应用MOCVD技术在GaInP外延层上制备了InP自组装结构;并用近场光学成像技术对外延层表面及InP自组装结构进行了研究.

关键词： 近场光学 自组装 MOCVD 外延层 量子点激光器

作者: 王浩 范广涵 廖长俊

作者单位: 华南师范大学信息光电子学院(广州)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议

会议地点: 牡丹江

会议语种:中文

页码: 54-54

在线出版日期: 2003-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）