失配的GaInP外延层对自组织InP量子点形状的影响

摘要：

在不同的GaInP外延层上生长了自组织InP量子点,以观察应力对自组织量子点的影响.随着应力的增加,量子点的形状不断变化.通过分析计算表明,量子点通过降低总能量E<,total>来优化形状,结果还发现在某些环境下,高指数的晶面会稳定存在.并对微激光器的谐振腔的设计提供参考.

关键词： 自组织 MOCVD InP 微激光器 谐振腔 外延生长 量子点

作者: 王浩 廖常俊 范广涵

作者单位: 华南师范大学信息光电子学院(广州)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议

会议地点: 牡丹江

会议语种:中文

页码: 52-52

在线出版日期: 2003-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）