InGaAs材料的光致发光研究

摘要：

本文讨论了利用LPMOCVD技术在旋转石墨基座上生长与InP匹配的In<,0.53>Ga<,0.47>As材料,并且研究生长条件(生长温度、Ⅴ/Ⅲ比、缓冲层厚度、AsH<,3>与PH<,3>转换时间)对InGaAs的光致发光谱形状和半峰宽的影响,研究了In<,0.35>Ga<,0.47>/InP的变激发强度和变温光致发光谱,从而进一步分析InGaAs外延层的光致发光谱峰值随温度的变化.

关键词： InGaAs材料 三元化合物半导体材料 金属有机化学气相淀积 光致发光谱 生长条件

作者: 缪国庆 金亿鑫 蒋红 宋航 李军

作者单位: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议

会议地点: 牡丹江

会议语种:中文

页码: 49-51

在线出版日期: 2003-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）