(lll)A InP衬底上MOCVD外延InGaAsP的表面形貌和光学特性

摘要：

(Ⅲ)InP衬底的生长工艺受到人们的广泛关注.相比于(100)InP,(Ⅲ)衬底上生长的多重子阱激光器具有更低的阈值电流、更强的量子限制Stark效应和更大的内建压电场引起的非线性效应.

关键词： MOCVD 金属有机化学气相淀积 多量子阱激光器 (Ⅲ)A InP衬底 表面形貌 光学特性

作者: 刘瑞东 于丽娟 芦秀玲 张福甲 黄永箴

作者单位: 中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室(中国北京);兰州大学 中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室(中国北京) 兰州大学

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议

会议地点: 牡丹江

会议语种:中文

页码: 47-48

在线出版日期: 2003-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）